Low

C2M0080120D - 

Power MOSFET, N Channel, 31.6 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, 20 V, 3.2 V

WOLFSPEED C2M0080120D

Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.

Gyártói cikkszám:
C2M0080120D
Rendelési kód:
2361496
Műszaki adatlap:
(EN)
Az összes technikai dokumentum megtekintése

Termékinformáció

:
208W
:
150°C
:
31.6A
:
N Channel
:
3Pins
:
3.2V
:
-
:
1.2kV
:
20V
:
TO-247
:
0.08ohm
:
-
Hasonló termékek keresése Hasonló termékek kereséséhez válassza ki és módosítsa a fenti jellemzőket.

Termékáttekintés

The C2M0080120D from Cree is a 2nd generation Z-FET, through hole N channel silicon carbide power MOSFET in TO-247 package. This MOSFET features C2M SiC MOSFET technology, high blocking voltage with low On resistance, high speed switching with low capacitances, easy to parallel and simple to drive, avalanche ruggedness, resistant to latch up, higher system efficiency, reduced cooling requirements and increased power density. Applications include solar inverters, switch mode power supplies, high voltage DC-DC converters and battery chargers.
  • Drain to source voltage (Vds) of 1.2kV
  • Continuous drain current of 36A
  • Power dissipation of 192W
  • Operating junction temperature of -55°C to 150°C
  • Low on state resistance of 80mohm at Vgs of 20V

Alkalmazások

Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial, Motor Drive & Control, Alternative Energy

Társított termékek

Kijelöltek összehasonlítása