Low

MJD112G - 

Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 25 MHz, 1.75 W, 2 A, 12000 hFE

ON SEMICONDUCTOR MJD112G

Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.

Gyártói cikkszám:
MJD112G
Rendelési kód:
1459084
Műszaki adatlap:
(EN)
Az összes technikai dokumentum megtekintése

Termékinformáció

:
1.75W
:
2A
:
100V
:
25MHz
:
150°C
:
NPN
:
12000hFE
:
3Pins
:
-
:
-
:
TO-252
:
MSL 1 - Unlimited
Hasonló termékek keresése Hasonló termékek kereséséhez válassza ki és módosítsa a fenti jellemzőket.

Termékáttekintés

The MJD112G is a 2A NPN bipolar power Darlington Transistor designed for general purpose power and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers.
  • Lead formed for surface-mount applications in plastic sleeves
  • Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistors
  • Complementary pairs simplifies designs
  • Surface-mount replacements for TIP110 to TIP117 series
  • AEC-Q101 qualified and PPAP capable

Alkalmazások

Industrial, Power Management, Automotive, Signal Processing

Alternatívák

Kijelöltek összehasonlítása
Gyártói cikkszám
Rendelési kód
Gyártó / leírás
Elérhető
Adott egységre meghatározott ár:
Mennyiség
4 098 Van raktáron

szalag, darabolt tekercs

1+ 196,956 Ft 10+ 148,722 Ft 100+ 93,685 Ft

279 Van raktáron

szalag, darabolt tekercs

1+ 209,942 Ft 10+ 168,819 Ft 100+ 93,995 Ft 250+ 93,685 Ft egyéb…

ON SEMICONDUCTOR

Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 25 MHz, 20 W, 2 A, 12 hFE

Szállításra vár (Elérhető függő rendelésként az alábbi átfutási időkkel)

szalag, teljes tekercs

2500+ 62,766 Ft 7500+ 58,747 Ft 12500+ 56,273 Ft

Társított termékek

Kijelöltek összehasonlítása