Low

ON SEMICONDUCTOR  MMBT3906WT1G  Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, PNP, 40 V, 250 MHz, 150 mW, 200 mA, 250 hFE

ON SEMICONDUCTOR MMBT3906WT1G
Technical Data Sheet (128.53KB) EN Az összes technikai dokumentum megtekintése

Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.

Termékáttekintés

The MMBT3906WT1G is a PNP Bipolar Transistor designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the package which is designed for low power surface-mount applications.
  • Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
  • Saves board space
  • AEC-Q101 qualified and PPAP capable

Termékinformáció

Transistor Polarity:
PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo:
40V
Transition Frequency ft:
250MHz
Power Dissipation Pd:
150mW
DC Collector Current:
200mA
DC Current Gain hFE:
250hFE
Transistor Case Style:
SOT-323
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
MMBTxxxx Series
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

Hasonló termékek keresése  közös jellemzők szerint csoportosítva

Alkalmazások

  • Industrial;
  • Power Management;
  • Automotive

Jogszabályok és környezetvédelem

Páratartalom-érzékenységi szint:
MSL 1 - Unlimited
Származási ország:
China

Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.

RoHS-kompatibilis:
Igen
Vámtarifaszám:
85411000
Tömeg (kg):
.08

Alternatívák

Bipolar (BJT) Single Transistor, Switching, PNP, -40 V, 250 MHz, 200 mW, -200 mA, 100 hFE

NXP

Szalagos
611:  Van raktáron

Adott egységre meghatározott ár: szalag, darabolt tekercs

5+ 46,379 Ft 90+ 17,006 Ft 250+ 16,696 Ft 750+ 11,533 Ft egyéb…

Vásárlás

Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, PNP, -40 V, 250 MHz, 225 mW, -200 mA, 300 hFE

ON SEMICONDUCTOR

Szalagos
12 624:  Van raktáron

Adott egységre meghatározott ár: szalag, darabolt tekercs

10+ 26,281 Ft 100+ 9,585 Ft 250+ 9,276 Ft 750+ 6,4 Ft egyéb…

Vásárlás

Társított termékek