Low

STMICROELECTRONICS  MJD31CT4  Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 100 V, 15 W, 3 A, 10 hFE

STMICROELECTRONICS MJD31CT4
Technical Data Sheet (399.64KB) EN Az összes technikai dokumentum megtekintése

Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.

Termékáttekintés

The MJD31CT4 is a NPN low voltage Power Transistor manufactured using Planar technology with "Base Island" layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.
  • Surface-mount power package
  • PNP complementary to the type is MJD32C

Termékinformáció

Transistor Polarity:
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo:
100V
Transition Frequency ft:
-
Power Dissipation Pd:
15W
DC Collector Current:
3A
DC Current Gain hFE:
10hFE
Transistor Case Style:
TO-252
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (17-Dec-2015)

Hasonló termékek keresése  közös jellemzők szerint csoportosítva

Alkalmazások

  • Industrial;
  • Power Management;
  • Automotive

Jogszabályok és környezetvédelem

Páratartalom-érzékenységi szint:
MSL 1 - Unlimited
Származási ország:
China

Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.

RoHS-kompatibilis:
Igen
Vámtarifaszám:
85411000
Tömeg (kg):
.00227

Alternatívák

Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFE

ON SEMICONDUCTOR

2 357:  Van raktáron

Adott egységre meghatározott ár: darab

1+ 177,477 Ft 25+ 122,44 Ft 100+ 80,699 Ft 500+ 63,694 Ft egyéb…

Vásárlás

Társított termékek

Hasonló termékek