Low

VISHAY  SI2302DDS-T1-GE3  MOSFET Transistor, N Channel, 2.6 A, 20 V, 0.045 ohm, 4.5 V

VISHAY SI2302DDS-T1-GE3
Technical Data Sheet (204.15KB) EN Az összes technikai dokumentum megtekintése

Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.

Termékáttekintés

The SI2302DDS-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch and DC-to-DC converter applications.
  • 100% Rg tested
  • Halogen-free
  • -55 to 150°C Operating temperature range

Termékinformáció

Transistor Polarity:
N Channel
Continuous Drain Current Id:
2.6A
Drain Source Voltage Vds:
20V
On Resistance Rds(on):
0.045ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
4.5V
Threshold Voltage Vgs:
-
Power Dissipation Pd:
710mW
Transistor Case Style:
SOT-23
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

Hasonló termékek keresése  közös jellemzők szerint csoportosítva

Alkalmazások

  • Industrial;
  • Power Management;
  • Portable Devices

Jogszabályok és környezetvédelem

Páratartalom-érzékenységi szint:
MSL 1 - Unlimited
Származási ország:
China

Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.

RoHS-kompatibilis:
Igen
Vámtarifaszám:
85412100
Tömeg (kg):
.000033

Alternatívák

Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, SOT-23

INFINEON

Szalagos
1 567:  Van raktáron

Adott egységre meghatározott ár: szalag, darabolt tekercs

1+ 81,936 Ft 25+ 68,022 Ft 100+ 37,722 Ft 250+ 33,084 Ft egyéb…

Vásárlás