Low

VISHAY  SI3474DV-T1-GE3  MOSFET Transistor, N Channel, 3.8 A, 100 V, 0.102 ohm, 10 V

VISHAY SI3474DV-T1-GE3
Technical Data Sheet (228.14KB) EN Az összes technikai dokumentum megtekintése

Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.

Termékáttekintés

The SI3474DV-T1-GE3 is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, boost converter, LED backlighting in LCD TVs and DC-to-DC converter applications.
  • 100% Rg tested
  • 100% UIS tested
  • Halogen-free
  • -55 to 150°C Operating temperature range

Termékinformáció

Transistor Polarity:
N Channel
Continuous Drain Current Id:
3.8A
Drain Source Voltage Vds:
100V
On Resistance Rds(on):
0.102ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
10V
Threshold Voltage Vgs:
-
Power Dissipation Pd:
3.6W
Transistor Case Style:
TSOP
No. of Pins:
6Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

Hasonló termékek keresése  közös jellemzők szerint csoportosítva

Alkalmazások

  • Industrial;
  • Power Management;
  • LED Lighting

Jogszabályok és környezetvédelem

Páratartalom-érzékenységi szint:
MSL 1 - Unlimited
Származási ország:
China

Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.

RoHS-kompatibilis:
Igen
Vámtarifaszám:
85412900
Tömeg (kg):
.0005