Low

VISHAY  SI7370DP-T1-GE3  MOSFET Transistor, N Channel, 9.6 A, 60 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V

VISHAY SI7370DP-T1-GE3
Technical Data Sheet (297.39KB) EN Az összes technikai dokumentum megtekintése

Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.

Termékáttekintés

The SI7370DP-T1-GE3 is a 60VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for primary side switch and secondary synchronous rectifier applications.
  • New low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
  • PWM optimized
  • Fast switching
  • 100% Rg tested
  • Halogen-free
  • -55 to 150°C Operating temperature range

Termékinformáció

Transistor Polarity:
N Channel
Continuous Drain Current Id:
9.6A
Drain Source Voltage Vds:
60V
On Resistance Rds(on):
0.009ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
10V
Threshold Voltage Vgs:
4V
Power Dissipation Pd:
1.9W
Transistor Case Style:
PowerPAK SO
No. of Pins:
8Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

Hasonló termékek keresése  közös jellemzők szerint csoportosítva

Alkalmazások

  • Industrial;
  • Power Management

Jogszabályok és környezetvédelem

Páratartalom-érzékenységi szint:
MSL 1 - Unlimited
Származási ország:
China

Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.

RoHS-kompatibilis:
Igen
Vámtarifaszám:
85412900
Tömeg (kg):
.00069