Low

VISHAY  SI7655ADN-T1-GE3  MOSFET Transistor, P Channel, -40 A, -20 V, 0.003 ohm, -10 V

VISHAY SI7655ADN-T1-GE3
Technical Data Sheet (225.11KB) EN Az összes technikai dokumentum megtekintése

Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.

Termékáttekintés

The SI7655ADN-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch and battery switch applications.
  • Low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 0.75mm profile
  • 100% Rg tested
  • 100% UIS tested
  • Halogen-free
  • -50 to 150°C Operating temperature range

Termékinformáció

Transistor Polarity:
P Channel
Continuous Drain Current Id:
-40A
Drain Source Voltage Vds:
-20V
On Resistance Rds(on):
0.003ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
-10V
Threshold Voltage Vgs:
-
Power Dissipation Pd:
57W
Transistor Case Style:
PowerPAK 1212
No. of Pins:
8Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

Hasonló termékek keresése  közös jellemzők szerint csoportosítva

Alkalmazások

  • Industrial;
  • Power Management;
  • Portable Devices

Jogszabályok és környezetvédelem

Páratartalom-érzékenységi szint:
MSL 1 - Unlimited
Származási ország:
China

Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.

RoHS-kompatibilis:
Igen
Vámtarifaszám:
85412900
Tömeg (kg):
.006