Low

VISHAY  SIA931DJ-T1-GE3  Dual MOSFET, Dual P Channel, -4.5 A, -30 V, 0.052 ohm, -10 V

VISHAY SIA931DJ-T1-GE3
Technical Data Sheet (268.68KB) EN Az összes technikai dokumentum megtekintése

Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.

Termékáttekintés

The SIA931DJ-T1-GE3 is a dual P-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for battery and load switch, DC-to-DC converter applications.
  • Halogen-free
  • TrenchFET® gen III power MOSFET
  • Thermally enhanced PowerPAK® package
  • Small footprint
  • Low ON-resistance
  • 100% Rg tested

Termékinformáció

Transistor Polarity:
Dual P Channel
Continuous Drain Current Id:
-4.5A
Drain Source Voltage Vds:
-30V
On Resistance Rds(on):
0.052ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
-10V
Threshold Voltage Vgs:
-
Power Dissipation Pd:
7.8W
Transistor Case Style:
PowerPAK SC70
No. of Pins:
6Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
To Be Advised

Hasonló termékek keresése  közös jellemzők szerint csoportosítva

Alkalmazások

  • Industrial;
  • Power Management;
  • Computers & Computer Peripherals

Jogszabályok és környezetvédelem

Páratartalom-érzékenységi szint:
MSL 1 - Unlimited
Származási ország:
China

Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.

RoHS-kompatibilis:
Igen
Vámtarifaszám:
85412900
Tömeg (kg):
.002