Low

VISHAY  SIHP21N65EF-GE3  Power MOSFET, N Channel, 21 A, 650 V, 0.15 ohm, 10 V

VISHAY SIHP21N65EF-GE3
Technical Data Sheet (136.83KB) EN Az összes technikai dokumentum megtekintése

Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.

Termékinformáció

Transistor Polarity:
N Channel
Continuous Drain Current Id:
21A
Drain Source Voltage Vds:
650V
On Resistance Rds(on):
0.15ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
10V
Threshold Voltage Vgs:
-
Power Dissipation Pd:
208W
Transistor Case Style:
TO-220AB
No. of Pins:
3Pins
Operating Temperature Max:
150°C
Product Range:
-
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
To Be Advised

Hasonló termékek keresése  közös jellemzők szerint csoportosítva

Jogszabályok és környezetvédelem

Páratartalom-érzékenységi szint:
MSL 1 - Unlimited
Származási ország:
China

Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.

RoHS-kompatibilis:
Igen
Vámtarifaszám:
85412900
Tömeg (kg):
.0019

Hasonló termékek