Low

VISHAY  SQJ992EP-T1-GE3  Dual MOSFET, Dual N Channel, 15 A, 60 V, 0.047 ohm, 10 V, 2 V

VISHAY SQJ992EP-T1-GE3
Technical Data Sheet (238.69KB) EN Az összes technikai dokumentum megtekintése

Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.

Termékáttekintés

The SQJ992EP-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package.
  • Halogen-free
  • TrenchFET® power MOSFET
  • 100% Rg and UIS tested

Termékinformáció

Transistor Polarity:
Dual N Channel
Continuous Drain Current Id:
15A
Drain Source Voltage Vds:
60V
On Resistance Rds(on):
0.047ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:
10V
Threshold Voltage Vgs:
2V
Power Dissipation Pd:
34W
Transistor Case Style:
PowerPAK SO
No. of Pins:
8Pins
Operating Temperature Max:
175°C
Product Range:
-
Automotive Qualification Standard:
AEC-Q101
MSL:
MSL 1 - Unlimited
SVHC:
To Be Advised

Hasonló termékek keresése  közös jellemzők szerint csoportosítva

Alkalmazások

  • Industrial;
  • Automotive;
  • Power Management

Jogszabályok és környezetvédelem

Páratartalom-érzékenységi szint:
MSL 1 - Unlimited
Származási ország:
China

Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.

RoHS-kompatibilis:
Igen
Vámtarifaszám:
85412900
Tömeg (kg):
.002