Oldal nyomtatása
DMN6075S-7
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Surface Mount
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
13 839 Van Raktáron
Többre van szüksége?
EXPRESSZ kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Rendeljen legkésőbb 17:00-ig
INGYENES standard kiszállítás
0,00 Ft és annál nagyobb értékű megrendelés esetén
A pontos kiszállítási időt a pénztárnál számítjuk ki
| Mennyiség | |
|---|---|
| 5+ | 133,245 Ft |
| 50+ | 83,835 Ft |
| 100+ | 31,874 Ft |
| 500+ | 31,712 Ft |
| 1500+ | 31,509 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each (Supplied on Cut Tape)
Legalább: 5
Több: 5
666,22 Ft (ÁFA nélkül)
Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Termékinformáció
GyártóDIODES INC.
Gyártói cikkszámDMN6075S-7
Rendelési kód3127343
Műszaki adatlap
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id2A
Drain Source On State Resistance0.085ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation800mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Termékáttekintés
DMN6075S-7 is a N-channel enhancement mode MOSFET. This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and maintains superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Typical applications include backlighting, power management functions, DC-DC converters.
- Low input capacitance, low on-resistance
- Fast switching speed
- Drain-source voltage is 60V at TA=+25°C
- Gate-source voltage is ±20V at TA=+25°C
- Continuous drain current is 2A at TA=+25°C, VGS = 10V, steady state
- Maximum body diode forward current is 2A at TA = +25°C
- Pulsed drain current (10µs pulse, duty cycle = 1%) is 12A at TA = +25°C
- Static drain-source on-resistance is 85mohm max at VGS = 10V, ID = 3.2A, TA = +25°C
- SOT23 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Műszaki adatok
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
800mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.085ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Műszaki dokumentumok (2)
Alternatíva a következőhöz: DMN6075S-7
5 termék található
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.000121
Termékkövethetőség