Oldal nyomtatása
IMBG40R011M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
GyártóINFINEON
Gyártói cikkszámIMBG40R011M2HXTMA1
Rendelési kód4538818
TermékskálaCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
más névenIMBG40R011M2H, SP005976260
Műszaki adatlap
396 Van Raktáron
Többre van szüksége?
EXPRESSZ kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Rendeljen legkésőbb 17:00-ig
INGYENES standard kiszállítás
0,00 Ft és annál nagyobb értékű megrendelés esetén
A pontos kiszállítási időt a pénztárnál számítjuk ki
| Mennyiség | |
|---|---|
| 1+ | 6 216,750 Ft |
| 5+ | 5 516,100 Ft |
| 10+ | 4 811,400 Ft |
| 50+ | 4 487,400 Ft |
| 100+ | 4 159,350 Ft |
| 250+ | 4 074,300 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each (Supplied on Cut Tape)
Legalább: 1
Több: 1
6 216,75 Ft (ÁFA nélkül)
Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Termékinformáció
GyártóINFINEON
Gyártói cikkszámIMBG40R011M2HXTMA1
Rendelési kód4538818
TermékskálaCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
más névenIMBG40R011M2H, SP005976260
Műszaki adatlap
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id133A
Drain Source Voltage Vds400V
Drain Source On State Resistance0.0144ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation429W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Termékáttekintés
IMBG40R011M2HXTMA1 is a CoolSiC™ 400V CoolSiC™ G2 MOSFET in a 7 pin TO263 package. Typical applications include SMPS, solar PV inverters, energy storage, UPS and battery formation, class‑D audio and motor drives.
- 400V drain source voltage, 11.3mohm RDS(on), 133A drain current
- Ideal for high frequency switching and synchronous rectification
- Commutation robust fast body diode with low Qfr
- Low RDS(on) dependency on temperature
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
- Recommended gate driving voltage 0V to 18V
- XT interconnection technology for best‑in‑class thermal performance
- 100% avalanche tested
- Operating junction temperature range from ‑55 to 175°C
Műszaki adatok
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
133A
Drain Source On State Resistance
0.0144ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
400V
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
429W
Product Range
CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
Műszaki dokumentumok (1)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Malaysia
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Malaysia
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.000001
Termékkövethetőség