Oldal nyomtatása
IRFI4110GPBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 72 A, 4500 µohm, TO-220FP, Through Hole
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
GyártóINFINEON
Gyártói cikkszámIRFI4110GPBF
Rendelési kód1888169
TermékskálaHEXFET Series
más névenSP001556598
Műszaki adatlap
4924 Van Raktáron
Többre van szüksége?
EXPRESSZ kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Rendeljen legkésőbb 17:00-ig
INGYENES standard kiszállítás
0,00 Ft és annál nagyobb értékű megrendelés esetén
A pontos kiszállítási időt a pénztárnál számítjuk ki
Amíg a készlet tart
| Mennyiség | |
|---|---|
| 1+ | 1 741,500 Ft |
| 10+ | 1 279,800 Ft |
| 100+ | 1 231,200 Ft |
| 500+ | 1 178,550 Ft |
| 1000+ | 1 154,250 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each
Legalább: 1
Több: 1
1 741,50 Ft (ÁFA nélkül)
Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóINFINEON
Gyártói cikkszámIRFI4110GPBF
Rendelési kód1888169
TermékskálaHEXFET Series
más névenSP001556598
Műszaki adatlap
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id72A
Drain Source On State Resistance4500µohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation61W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Alternatíva a következőhöz: IRFI4110GPBF
1 terméktalálat
Termékáttekintés
The IRFI4110GPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
- Halogen-free
Alkalmazások
Power Management, Industrial
Műszaki adatok
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
72A
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
61W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
4500µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Műszaki dokumentumok (2)
Társított termékek
1 terméktalálat
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.00195