Oldal nyomtatása

DN2530N3-G

Name: MICROCHIP DN2530N3-G
Brand: MICROCHIP
SKU: 2450506
Availability: InStock

Power MOSFET, N Channel, 300 V, 175 mA, 12 ohm, TO-92, Through Hole

Date/Lot Code

Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.

GyártóMICROCHIP

Gyártói cikkszámDN2530N3-G

Rendelési kód2450506

Műszaki adatlap

Data Sheet

Az összes technikai dokumentum megtekintése

574 Van Raktáron

Többre van szüksége?

EXPRESSZ kiszállítás 1–2 munkanapon belül

Rendeljen legkésőbb 17:00-ig

INGYENES standard kiszállítás

0,00 Ft és annál nagyobb értékű megrendelés esetén

A pontos kiszállítási időt a pénztárnál számítjuk ki

Mennyiség
1+	273,780 Ft
25+	228,420 Ft
100+	210,600 Ft
1000+	209,790 Ft

Adott egységre meghatározott ár:Each

Legalább: 1

Több: 1

273,78 Ft (ÁFA nélkül)

Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása

Tételsor megjegyzés

Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.

Cikkszám

Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.

Termékinformáció

GyártóMICROCHIP

Gyártói cikkszámDN2530N3-G

Rendelési kód2450506

Műszaki adatlap

Data Sheet

Channel TypeN Channel

Drain Source Voltage Vds300V

Continuous Drain Current Id175mA

Drain Source On State Resistance12ohm

Transistor Case StyleTO-92

Transistor MountingThrough Hole

Rds(on) Test Voltage0V

Gate Source Threshold Voltage Max-

Power Dissipation740mW

No. of Pins3Pins

Operating Temperature Max150°C

Product Range-

Qualification-

MSL-

SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)

Termékáttekintés

The DN2530N3-G is a N-channel depletion-mode vertical DMOS FET utilizes an advanced vertical diffusion metal oxide semiconductor (DMOS) structure and a well proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power-handling capabilities of bipolar transistors, plus the high-input impedance and positive-temperature coefficient inherent in metal-oxide semiconductor (MOS) devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. The low threshold normally-on DMOS field-effect transistor (FET) is ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where a very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds are desired.

Low ON-resistance
Free from secondary breakdown
Low input and output leakages

Alkalmazások

Power Management, Communications & Networking

Műszaki adatok

Channel Type

N Channel

Continuous Drain Current Id

175mA

Transistor Case Style

TO-92

Rds(on) Test Voltage

Power Dissipation

740mW

Operating Temperature Max

150°C

Qualification

SVHC

No SVHC (25-Jun-2025)

Drain Source Voltage Vds

300V

Drain Source On State Resistance

12ohm

Transistor Mounting

Through Hole

Gate Source Threshold Voltage Max

No. of Pins

3Pins

Product Range

MSL

Műszaki dokumentumok (2)

Product Change Notice EN

Technical Data Sheet EN

Jogszabályok és környezetvédelem

Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.

Vámtarifaszám:85412100

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

RoHS-kompatibilis:Igen

RoHS

RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen

RoHS

SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)

Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése

Termékmegfelelőségi tanúsítvány

Tömeg (kg):.00025

Termékkövethetőség