Oldal nyomtatása
BFG21W,115
Bipolar - RF Transistor, NPN, 4.5 V, 18 GHz, 600 mW, 500 mA, SOT-343R
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
Termékinformáció
GyártóNXP
Gyártói cikkszámBFG21W,115
Rendelési kód1758043RL
Műszaki adatlap
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max4.5V
Transition Frequency18GHz
Power Dissipation600mW
Continuous Collector Current500mA
Transistor Case StyleSOT-343R
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE Min40hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Termékáttekintés
The BFG21W,115 is an NPN Double Polysilicon Bipolar Power Transistor with buried layer for low voltage medium power applications encapsulated in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343R package. This UHF power transistor is suitable for linear and non-linear operations.
- High power gain
- High efficiency
Alkalmazások
RF Communications
Műszaki adatok
Transistor Polarity
NPN
Transition Frequency
18GHz
Continuous Collector Current
500mA
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
Collector Emitter Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
600mW
Transistor Case Style
SOT-343R
DC Current Gain hFE Min
40hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Műszaki dokumentumok (1)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Malaysia
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Malaysia
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.000006