Oldal nyomtatása
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
Termékinformáció
GyártóNXP
Gyártói cikkszámBFM520,115
Rendelési kód1758050
Műszaki adatlap
Transistor PolarityDual NPN
Collector Emitter Voltage Max8V
Transition Frequency9GHz
Power Dissipation1W
Continuous Collector Current70mA
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
DC Current Gain hFE Min120hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Termékáttekintés
The BFM520,115 is a dual NPN Wideband Transistor with two silicon RF dies in a surface-mount package. This transistor is primarily intended for wideband applications in the GHz-range in the RF front end of analogue and digital cellular phones, cordless phones, radar detectors, pagers and satellite TV-tuners.
- Small size
- Temperature and hFE matched
- Low noise and high gain
- High gain at low current and low capacitance at low voltage
- Gold metallization ensures excellent reliability
Alkalmazások
Industrial, Communications & Networking, Consumer Electronics, Power Management
Műszaki adatok
Transistor Polarity
Dual NPN
Transition Frequency
9GHz
Continuous Collector Current
70mA
No. of Pins
6Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
Collector Emitter Voltage Max
8V
Power Dissipation
1W
Transistor Case Style
SOT-363
DC Current Gain hFE Min
120hFE
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Műszaki dokumentumok (1)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Malaysia
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Malaysia
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.000006
Termékkövethetőség