Oldal nyomtatása
NVBG020N120SC1
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
GyártóONSEMI
Gyártói cikkszámNVBG020N120SC1
Rendelési kód3265484RL
TermékskálaEliteSiC Series
Műszaki adatlap
716 Van Raktáron
Többre van szüksége?
EXPRESSZ kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Rendeljen legkésőbb 17:00-ig
INGYENES standard kiszállítás
0,00 Ft és annál nagyobb értékű megrendelés esetén
A pontos kiszállítási időt a pénztárnál számítjuk ki
| Mennyiség | |
|---|---|
| 10+ | 13 369,050 Ft |
| 50+ | 13 101,750 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each (Supplied on Cut Tape)
Legalább: 10
Több: 1
135 085,50 Ft (ÁFA nélkül)
Erre a termékre 1 395,00 Ft összegű újratekercselési díjat számolunk fel
Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóONSEMI
Gyártói cikkszámNVBG020N120SC1
Rendelési kód3265484RL
TermékskálaEliteSiC Series
Műszaki adatlap
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id98A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
On Resistance Rds(on)0.02ohm
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation Pd468W
Power Dissipation468W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead (27-Jun-2024)
Termékáttekintés
NVBG020N120SC1 is a silicon carbide (SiC) MOSFET. Typical applications are automotive on board charger, automotive DC-DC converter for EV/HEV.
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- 100% avalanche tested
- Low effective output capacitance (typ. Coss= 258pF)
- Drain-to-source voltage is 1200V at TJ = 25°C
- Continuous drain current is 98A at TC = 25°C
- Power dissipation is 3.7W at TC = 25°C
- Single pulse surge drain current capability is 807A at TA = 25°C, tp = 10µs, RG = 4.7ohm
- Operating junction and storage temperature range from -55 to +175°C
- D2PAK-7L package
Műszaki adatok
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
Power Dissipation
468W
Product Range
EliteSiC Series
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
98A
On Resistance Rds(on)
0.02ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation Pd
468W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Műszaki dokumentumok (2)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Y-Ex
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.000024
Termékkövethetőség