Oldal nyomtatása
NXPSC08650BJ
Silicon Carbide Schottky Diode, Single, 650 V, 8 A, TO-263 (D2PAK)
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
4423 Van Raktáron
Többre van szüksége?
EXPRESSZ kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Rendeljen legkésőbb 17:00-ig
INGYENES standard kiszállítás
0,00 Ft és annál nagyobb értékű megrendelés esetén
A pontos kiszállítási időt a pénztárnál számítjuk ki
Amíg a készlet tart
| Mennyiség | |
|---|---|
| 1+ | 1 988,550 Ft |
| 10+ | 1 470,150 Ft |
| 100+ | 1 158,300 Ft |
| 500+ | 1 081,350 Ft |
| 1000+ | 1 036,800 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each
Legalább: 1
Több: 1
1 988,55 Ft (ÁFA nélkül)
Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóWEEN SEMICONDUCTORS
Gyártói cikkszámNXPSC08650BJ
Rendelési kód2902398
Műszaki adatlap
Product Range-
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage650V
Average Forward Current8A
Total Capacitive Charge-
Diode Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingSurface Mount
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Termékáttekintés
NXPSC08650BJ is a silicon carbide diode. This is designed for high frequency switched-mode power supplies. Applications include power factor correction, telecom / server SMPS, UPS, PV inverter, PC silver box, LED / OLED TV, motor drives.
- Highly stable switching performance, high forward surge capability IFSM
- Extremely fast reverse recovery time, superior in efficiency to silicon diode alternatives
- Reduced losses in associated MOSFET, reduced EMI
- Reduced cooling requirements
- 1.5V typical forward voltage (IF = 8A, Tj= 25°C)
- 13nC typical recovered charge (IF = 8A, dIF/dt = 500A/μs, VR = 400V, Tj= 25°C)
- 650V max repetitive peak reverse voltage
- 8A max average forward current (δ = 0.5, square-wave pulse, Tmb ≤ 112°C)
- 3 pin TO263 package, 175°C junction temperature
Műszaki adatok
Product Range
-
Repetitive Peak Reverse Voltage
650V
Total Capacitive Charge
-
No. of Pins
3 Pin
Diode Mounting
Surface Mount
SVHC
To Be Advised
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
8A
Diode Case Style
TO-263 (D2PAK)
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Műszaki dokumentumok (1)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Y-Ex
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:To Be Advised
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.0005