Oldal nyomtatása
DMN10H220L-7
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Surface Mount
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
34 658 Van Raktáron
Többre van szüksége?
EXPRESSZ kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Rendeljen legkésőbb 17:00-ig
INGYENES standard kiszállítás
0,00 Ft és annál nagyobb értékű megrendelés esetén
A pontos kiszállítási időt a pénztárnál számítjuk ki
| Mennyiség | |
|---|---|
| 5+ | 141,345 Ft |
| 50+ | 98,820 Ft |
| 100+ | 84,240 Ft |
| 500+ | 72,495 Ft |
| 1500+ | 66,420 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each (Supplied on Cut Tape)
Legalább: 5
Több: 5
706,72 Ft (ÁFA nélkül)
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóDIODES INC.
Gyártói cikkszámDMN10H220L-7
Rendelési kód3127326
Műszaki adatlap
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id1.4A
Drain Source On State Resistance0.22ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation1.3W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Termékáttekintés
DMN10H220L-7 is a N-channel enhancement mode MOSFET. This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power-management applications and load switches.
- Low on resistance, low input capacitance
- Fast switching speed, low input/output leakage
- Drain-source voltage is 100V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±16V at TA = +25°C
- Continuous drain current is 1.6A at TA = +25°C, VGS = 10V
- Pulsed drain current (10µs pulse, duty cycle = 1%) is 8A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 1.3W at TA = +25°C
- Maximum continuous body diode forward current is 0.6A at TA = +25°C
- SOT23 (standard) package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Műszaki adatok
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.4A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.22ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Műszaki dokumentumok (2)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.000121
Termékkövethetőség