Oldal nyomtatása
DMN6140L-7
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 1.6 A, 0.14 ohm, SOT-23, Surface Mount
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
42 351 Van Raktáron
Többre van szüksége?
EXPRESSZ kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Rendeljen legkésőbb 17:00-ig
INGYENES standard kiszállítás
0,00 Ft és annál nagyobb értékű megrendelés esetén
A pontos kiszállítási időt a pénztárnál számítjuk ki
| Mennyiség | |
|---|---|
| 5+ | 79,380 Ft |
| 50+ | 51,840 Ft |
| 100+ | 36,855 Ft |
| 500+ | 35,276 Ft |
| 1500+ | 34,101 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each (Supplied on Cut Tape)
Legalább: 5
Több: 5
396,90 Ft (ÁFA nélkül)
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóDIODES INC.
Gyártói cikkszámDMN6140L-7
Rendelési kód2543545
Műszaki adatlap
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id1.6A
Drain Source On State Resistance0.14ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation700mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Termékáttekintés
DMN6140L-7 is a 60V N-channel enhancement mode MOSFET. This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Typical applications include DC-DC converters, power management functions and analogue switch.
- Low on-resistance, low input capacitance
- Fast switching speed, low input/output leakage
- Drain-source breakdown voltage is 60V min at VGS = 0V, ID = 250µA, TA = +25°C
- Zero gate voltage drain current is 1µA max at VDS = 60V, VGS = 0V, TA = +25°C
- Gate-source leakage is ±100nA max at VGS = ±20V, VDS = 0V,TA = +25°C
- Static drain-source on-resistance is 92mohm typ at VGS = 10V, ID = 1.8A, TA = +25°C
- Diode forward voltage is 0.75V typ at VGS = 0V, IS = 0.45A, TA = +25°C
- Reverse recovery time is 16.8ns typ at IF = 1.8A, di/dt =100A/µs, TA = +25°C
- SOT23 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Műszaki adatok
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.6A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
700mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.14ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Műszaki dokumentumok (2)
Alternatíva a következőhöz: DMN6140L-7
3 termék található
Társított termékek
3 termék található
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.000363
Termékkövethetőség