Oldal nyomtatása
H55S5122EFR-60M
DRAM, Mobile SDR, 512 Mbit, 16M x 32bit, 166 MHz, FBGA, 90 Pins
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
GyártóHYNIX SEMICONDUCTOR
Gyártói cikkszámH55S5122EFR-60M
Rendelési kód2314396
TermékskálaH55S
Műszaki adatlap
Továbbiakban nem raktározzuk
Termékinformáció
GyártóHYNIX SEMICONDUCTOR
Gyártói cikkszámH55S5122EFR-60M
Rendelési kód2314396
TermékskálaH55S
Műszaki adatlap
DRAM TypeMobile SDR
Memory Density512Mbit
Memory Configuration16M x 32bit
Clock Frequency Max166MHz
IC Case / PackageFBGA
No. of Pins90Pins
Supply Voltage Nom1.8V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-30°C
Operating Temperature Max85°C
Product RangeH55S
Műszaki adatok
DRAM Type
Mobile SDR
Memory Configuration
16M x 32bit
IC Case / Package
FBGA
Supply Voltage Nom
1.8V
Operating Temperature Min
-30°C
Product Range
H55S
Memory Density
512Mbit
Clock Frequency Max
166MHz
No. of Pins
90Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
Műszaki dokumentumok (1)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:South Korea
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:South Korea
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85423261
US ECCN:3A991.b.1.b.1
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Meghatározásra vár
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.000003