Oldal nyomtatása
BSC120N03LSGATMA1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 39 A, 0.012 ohm, PG-TDSON, Surface Mount
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
GyártóINFINEON
Gyártói cikkszámBSC120N03LSGATMA1
Rendelési kód1775466
más névenBSC120N03LS G , SP000302848
Műszaki adatlap
3880 Van Raktáron
Többre van szüksége?
.
.
INGYENES standard kiszállítás
0,00 Ft és annál nagyobb értékű megrendelés esetén
A pontos kiszállítási időt a pénztárnál számítjuk ki
| Mennyiség | |
|---|---|
| 1+ | 244,620 Ft |
| 10+ | 191,160 Ft |
| 100+ | 131,625 Ft |
| 500+ | 101,655 Ft |
| 1000+ | 83,025 Ft |
| 5000+ | 66,825 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each
Legalább: 1
Több: 1
244,62 Ft (ÁFA nélkül)
Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Termékinformáció
GyártóINFINEON
Gyártói cikkszámBSC120N03LSGATMA1
Rendelési kód1775466
más névenBSC120N03LS G , SP000302848
Műszaki adatlap
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id39A
Drain Source On State Resistance0.012ohm
Transistor Case StylePG-TDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation28W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Termékáttekintés
The BSC120N03LS G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET sets new standards in power density and energy efficiency. It is tailored to the needs of power management by improved EMI behaviour, as well as increased battery life. It is available in half-bridge configuration.
- Easy to design in
- Increased battery lifetime
- Improved EMI behaviour making external snubber networks obsolete
- Saving space
- Reducing power losses
- Fast switching MOSFET for SMPS
- Optimized technology for DC-to-DC converters
- Qualified according to JEDEC1 for target applications
- Logic level
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Very low ON-resistance RDS (ON)
- Superior thermal resistance
- Avalanche rated
- Halogen-free, Green device
Alkalmazások
Power Management, Motor Drive & Control, LED Lighting, Computers & Computer Peripherals, Portable Devices, Consumer Electronics
Műszaki adatok
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
39A
Transistor Case Style
PG-TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
28W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.012ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Műszaki dokumentumok (1)
Alternatíva a következőhöz: BSC120N03LSGATMA1
1 terméktalálat
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Malaysia
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Malaysia
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.000242
Termékkövethetőség