Oldal nyomtatása
F410MR20W3M1HB11BPSA1
Silicon Carbide MOSFET, N Channel, 95 A, 2 kV, 0.0133 ohm, Module
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
GyártóINFINEON
Gyártói cikkszámF410MR20W3M1HB11BPSA1
Rendelési kód4680826
TermékskálaEasyPACK Series
más névenF4-10MR20W3M1H_B11, SP005596760
Műszaki adatlap
12 Van Raktáron
Többre van szüksége?
EXPRESSZ kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Rendeljen legkésőbb 17:00-ig
INGYENES standard kiszállítás
0,00 Ft és annál nagyobb értékű megrendelés esetén
A pontos kiszállítási időt a pénztárnál számítjuk ki
| Mennyiség | |
|---|---|
| 1+ | 176 924,250 Ft |
| 5+ | 173 384,550 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each
Legalább: 1
Több: 1
176 924,25 Ft (ÁFA nélkül)
Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóINFINEON
Gyártói cikkszámF410MR20W3M1HB11BPSA1
Rendelési kód4680826
TermékskálaEasyPACK Series
más névenF4-10MR20W3M1H_B11, SP005596760
Műszaki adatlap
MOSFET Module Configuration-
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id95A
Drain Source Voltage Vds2kV
Drain Source On State Resistance0.0133ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins50Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.15V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEasyPACK Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Termékáttekintés
F410MR20W3M1HB11BPSA1 is an EasyPACK™ module with CoolSiC™ Trench MOSFET and PressFIT / NTC. Potential applications include EV charging, energy storage systems (ESS), solar applications, and DC/DC converters.
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of IEC 60747, 60749 and 60068
- Overload operation up to 175°C
- Integrated NTC temperature sensor, PressFIT contact technology
- Drain-source voltage is 2000V at Tvj = 25°C
- Continuous DC drain current is 95A at Tvj = 175°C, VGS = 18V, TH = 65°C
- Repetitive peak drain current is 240A ( verified by design, tp limited by Tvjmax)
- Drain-source on-resistance is 8.6mohm typ at VGS = 18V, Tvj = 25°C, ID = 120A
- Total gate charge is 0.47µC typ at VDD = 1200V, VGS = -3V, Tvj = 25°C
- Drain-source leakage current is 0.02µA typ at VDS = 2000V, VGS = -3V, Tvj = 25°C
- Storage temperature range from -40 to 125°C
Műszaki adatok
MOSFET Module Configuration
-
Continuous Drain Current Id
95A
Drain Source On State Resistance
0.0133ohm
No. of Pins
50Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.15V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
-
Product Range
EasyPACK Series
Műszaki dokumentumok (1)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Malaysia
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Malaysia
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Meghatározásra vár
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.000001
Termékkövethetőség