Oldal nyomtatása
FZ2000R33HE4BOSA1
IGBT Module, Single Switch, 2 kA, 2.45 V, 150 °C, Module
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
GyártóINFINEON
Gyártói cikkszámFZ2000R33HE4BOSA1
Rendelési kód3324632
TermékskálaIHM-B Series
más névenFZ2000R33HE4, SP003062218
Műszaki adatlap
Rendelhető
A gyártó standard átfutási ideje: 52 hét
Értesítsenek ismét készleten lévő termékről
| Mennyiség | |
|---|---|
| 1+ | 905 175,000 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each
Legalább: 1
Több: 1
905 175,00 Ft (ÁFA nélkül)
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóINFINEON
Gyártói cikkszámFZ2000R33HE4BOSA1
Rendelési kód3324632
TermékskálaIHM-B Series
más névenFZ2000R33HE4, SP003062218
Műszaki adatlap
IGBT ConfigurationSingle Switch
Continuous Collector Current2kA
DC Collector Current2kA
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2.2V
Collector Emitter Saturation Voltage2.45V
Power Dissipation-
Power Dissipation Pd-
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationTab
Collector Emitter Voltage Max3.3kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo3.3kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeIHM-B Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Termékáttekintés
FZ2000R33HE4BOSA1 is a IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT4 and emitter controlled 4 diode. Potential applications includes motor drives, traction drives, UPS systems, medium-voltage converters, high-power converters, active frontend (energy recovery). Qualified for industrial applications according to the relevant tests of IEC 60747, 60749 and 60068.
- AlSiC base plate for increased thermal cycling capability
- High power density, isolated base plate
- High DC stability, high short-circuit capability
- Low switching losses, unbeatable robustness
- Stray inductance module is 6nH (typ)
- Module lead resistance, terminals - chip is 0.08mohm (TC = 25 °C, per switch)
- Collector-emitter voltage is 3300V (Tvj = -40°C)
- Repetitive peak collector current is 4000A (tp limited by Tvj op)
- Gate threshold voltage is 5.80V (typ, IC = 94mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C)
- Temperature under switching conditions range from -40 to 150°C
Műszaki adatok
IGBT Configuration
Single Switch
DC Collector Current
2kA
Collector Emitter Saturation Voltage
2.45V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Tab
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
3.3kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Continuous Collector Current
2kA
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2.2V
Power Dissipation
-
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
3.3kV
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Product Range
IHM-B Series
Műszaki dokumentumok (1)
Társított termékek
2 termék található
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Germany
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Germany
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:3A228.c
EU ECCN:3A228.c
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):1.151
Termékkövethetőség