Oldal nyomtatása
IGC025S08S1XTMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 80 V, 86 A, 0.0025 ohm, 12 nC, TSON, Surface Mount
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
GyártóINFINEON
Gyártói cikkszámIGC025S08S1XTMA1
Rendelési kód4680816RL
más névenIGC025S08S1, SP006027447
Műszaki adatlap
3930 Van Raktáron
Többre van szüksége?
Kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Standard kiszállítás a 17:00 előtt leadott rendelésekre
| Mennyiség | |
|---|---|
| 100+ | 967,950 Ft |
| 500+ | 810,000 Ft |
| 1000+ | 692,550 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each (Supplied on Cut Tape)
Legalább: 100
Több: 1
98 190,00 Ft (ÁFA nélkül)
Erre a termékre 1 395,00 Ft összegű újratekercselési díjat számolunk fel
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóINFINEON
Gyártói cikkszámIGC025S08S1XTMA1
Rendelési kód4680816RL
más névenIGC025S08S1, SP006027447
Műszaki adatlap
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id86A
Drain Source On State Resistance0.0025ohm
Typical Gate Charge12nC
No. of Pins6Pins
Műszaki adatok
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0025ohm
No. of Pins
6Pins
Continuous Drain Current Id
86A
Typical Gate Charge
12nC
Műszaki dokumentumok (1)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Malaysia
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Malaysia
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.00001
Termékkövethetőség