Oldal nyomtatása
IGLT65R045D2ATMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HDSOP, Surface Mount
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
GyártóINFINEON
Gyártói cikkszámIGLT65R045D2ATMA1
Rendelési kód4573848RL
más névenIGLT65R045D2, SP005918712
Műszaki adatlap
1053 Van Raktáron
Többre van szüksége?
EXPRESSZ kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Rendeljen legkésőbb 17:00-ig
INGYENES standard kiszállítás
0,00 Ft és annál nagyobb értékű megrendelés esetén
A pontos kiszállítási időt a pénztárnál számítjuk ki
| Mennyiség | |
|---|---|
| 10+ | 2 191,050 Ft |
| 50+ | 2 008,800 Ft |
| 100+ | 1 826,550 Ft |
| 250+ | 1 790,100 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each (Supplied on Cut Tape)
Legalább: 10
Több: 1
23 305,50 Ft (ÁFA nélkül)
Erre a termékre 1 395,00 Ft összegű újratekercselési díjat számolunk fel
Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Műszaki adatok
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.054ohm
No. of Pins
16Pins
Continuous Drain Current Id
38A
Typical Gate Charge
6nC
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Műszaki dokumentumok (1)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Malaysia
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Malaysia
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.000001
Termékkövethetőség