Oldal nyomtatása
IGW50N60H3FKSA1
IGBT, 50 A, 2.3 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
GyártóINFINEON
Gyártói cikkszámIGW50N60H3FKSA1
Rendelési kód1832337
más névenIGW50N60H3, SP000702548
Műszaki adatlap
222 Van Raktáron
Többre van szüksége?
Kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Standard kiszállítás a 17:00 előtt leadott rendelésekre
| Mennyiség | |
|---|---|
| 1+ | 2 114,100 Ft |
| 10+ | 2 004,750 Ft |
| 100+ | 1 198,800 Ft |
| 500+ | 1 004,400 Ft |
| 1000+ | 810,000 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each
Legalább: 1
Több: 1
2 114,10 Ft (ÁFA nélkül)
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóINFINEON
Gyártói cikkszámIGW50N60H3FKSA1
Rendelési kód1832337
más névenIGW50N60H3, SP000702548
Műszaki adatlap
Continuous Collector Current50A
Collector Emitter Saturation Voltage2.3V
Power Dissipation333W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Termékáttekintés
The IGW50N60H3 is a High Speed IGBT in Trench and field-stop technology recommended in combination. The high speed device is used to reduce the size of the active components (25 to 70kHz). The high speed 3 family provides the best compromise between switching and conduction losses. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-OFF switching behaviour, leading to low turn-OFF losses.
- Designed specifically to replace planar MOSFETs in applications switching @ frequencies below 70kHz
- Low switching losses for high efficiency
- Fast switching behaviour with low EMI emissions
- Optimized diode for target applications, meaning further improvement in switching losses
- Low gate resistor selection possible (down to 5Ω) whilst maintaining excellent switching behaviour
- Short-circuit capability
- Excellent performance
- Low switching and conduction losses
- Very good EMI behaviour
- Small gate resistor for reduced delay time and voltage overshoot
- Best-in-class IGBT efficiency and EMI behaviour
- Packaged with and without freewheeling diode for increased design freedom
- Green product
- Halogen-free
Alkalmazások
Alternative Energy, Power Management
Műszaki adatok
Continuous Collector Current
50A
Power Dissipation
333W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Collector Emitter Saturation Voltage
2.3V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
-
Műszaki dokumentumok (3)
Alternatíva a következőhöz: IGW50N60H3FKSA1
1 terméktalálat
Társított termékek
4 termék található
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Philippines
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Philippines
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.00542
Termékkövethetőség