Oldal nyomtatása
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
GyártóINFINEON
Gyártói cikkszámIKW50N60H3FKSA1
Rendelési kód2480890
más névenIKW50N60H3, SP000852244
Műszaki adatlap
4 Van Raktáron
240 Már most lefoglalhat készletet
Kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Standard kiszállítás a 17:00 előtt leadott rendelésekre
Mennyiség | |
---|---|
1+ | 2 020,950 Ft |
10+ | 1 692,900 Ft |
100+ | 1 210,950 Ft |
500+ | 1 105,650 Ft |
1000+ | 1 085,400 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each
Legalább: 1
Több: 1
2 020,95 Ft (ÁFA nélkül)
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóINFINEON
Gyártói cikkszámIKW50N60H3FKSA1
Rendelési kód2480890
más névenIKW50N60H3, SP000852244
Műszaki adatlap
Continuous Collector Current100A
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Power Dissipation333W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Termékáttekintés
The IKW50N60H3 is a High Speed IGBT in Trench and field-stop technology with soft, fast recovery anti-parallel diode. The high speed device is used to reduce the size of the active components (25 to 70kHz). The high speed 3 family provides the best compromise between switching and conduction losses. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-OFF switching behaviour, leading to low turn-OFF losses.
- Designed specifically to replace planar MOSFETs in applications switching @ frequencies below 70kHz
- Low switching losses for high efficiency
- Fast switching behaviour with low EMI emissions
- Optimized diode for target applications, meaning further improvement in switching losses
- Low gate resistor selection possible (down to 5Ω) whilst maintaining excellent switching behaviour
- Short-circuit capability
- Excellent performance
- Low switching and conduction losses
- Very good EMI behaviour
- Small gate resistor for reduced delay time and voltage overshoot
- Best-in-class IGBT efficiency and EMI behaviour
- Packaged with and without freewheeling diode for increased design freedom
- Green product
- Halogen-free
Alkalmazások
Alternative Energy, Power Management
Figyelmeztetések
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Műszaki adatok
Continuous Collector Current
100A
Power Dissipation
333W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
-
Műszaki dokumentumok (3)
Alternatíva a következőhöz: IKW50N60H3FKSA1
1 terméktalálat
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.00443
Termékkövethetőség