Oldal nyomtatása
IPD110N12N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 120 V, 75 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
GyártóINFINEON
Gyártói cikkszámIPD110N12N3GATMA1
Rendelési kód2212834
más névenIPD110N12N3 G, SP001127808
Műszaki adatlap
24 691 Van Raktáron
Többre van szüksége?
EXPRESSZ kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Rendeljen legkésőbb 17:00-ig
INGYENES standard kiszállítás
0,00 Ft és annál nagyobb értékű megrendelés esetén
A pontos kiszállítási időt a pénztárnál számítjuk ki
| Mennyiség | |
|---|---|
| 1+ | 785,700 Ft |
| 10+ | 498,150 Ft |
| 100+ | 397,305 Ft |
| 500+ | 334,125 Ft |
| 1000+ | 303,750 Ft |
| 5000+ | 272,970 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each (Supplied on Cut Tape)
Legalább: 1
Több: 1
785,70 Ft (ÁFA nélkül)
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóINFINEON
Gyártói cikkszámIPD110N12N3GATMA1
Rendelési kód2212834
más névenIPD110N12N3 G, SP001127808
Műszaki adatlap
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds120V
Continuous Drain Current Id75A
Drain Source On State Resistance0.011ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation136W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Termékáttekintés
The IPD110N12N3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET offers at the same time the lowest ON-state resistances of the industry and the fastest switching behaviour, allowing for the achievement of outstanding performance in a wide range of applications. The 120V OptiMOS™ technology gives new possibilities for optimized solutions.
- Excellent switching performance
- World's lowest RDS (ON)
- Very low Qg and Qgd
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Halogen-free, Green device
- Qualified according to JEDEC for target application
- MSL1 rated 2
Alkalmazások
Power Management, Motor Drive & Control, Audio, Communications & Networking, Industrial
Figyelmeztetések
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Műszaki adatok
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
75A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
136W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
120V
Drain Source On State Resistance
0.011ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 3 - 168 hours
Műszaki dokumentumok (3)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Malaysia
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Malaysia
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.0003
Termékkövethetőség