Többre van szüksége?
Mennyiség | |
---|---|
1+ | 1 721,250 Ft |
10+ | 1 255,500 Ft |
25+ | 1 150,200 Ft |
50+ | 1 109,700 Ft |
100+ | 1 069,200 Ft |
250+ | 1 032,750 Ft |
500+ | 1 000,350 Ft |
1000+ | 955,800 Ft |
Termékinformáció
Termékáttekintés
The IR2113SPBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT Driver with independent high and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technology enables ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output and down to 3.3V logic. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. Propagation delays are matched to simplify use in high frequency applications. The floating channel can be used to drive a N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 500 or 600V.
- Tolerant to negative transient voltage DV/DT Immune
- Under-voltage lockout for both channels
- CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down
- Cycle-by-cycle edge-triggered shutdown logic
- Matched propagation delay for both channels
- Outputs in phase with inputs
Alkalmazások
Industrial, Consumer Electronics, Alternative Energy, Power Management
Műszaki adatok
2Channels
High Side and Low Side
16Pins
Surface Mount
2A
10V
-40°C
120ns
-
-
-
IGBT, MOSFET
SOIC
Non-Inverting
2A
20V
125°C
94ns
-
No SVHC (21-Jan-2025)
Műszaki dokumentumok (3)
Jogszabályok és környezetvédelem
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Malaysia
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
RoHS
RoHS
Termékmegfelelőségi tanúsítvány