Oldal nyomtatása
IRF5210STRLPBF
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
GyártóINFINEON
Gyártói cikkszámIRF5210STRLPBF
Rendelési kód1298529RL
más névenSP001554020
Műszaki adatlap
28 118 Van Raktáron
Többre van szüksége?
Kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Standard kiszállítás a 17:00 előtt leadott rendelésekre
| Mennyiség | |
|---|---|
| 100+ | 652,050 Ft |
| 500+ | 583,200 Ft |
| 1000+ | 514,350 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each (Supplied on Cut Tape)
Legalább: 100
Több: 1
66 600,00 Ft (ÁFA nélkül)
Erre a termékre 1 395,00 Ft összegű újratekercselési díjat számolunk fel
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóINFINEON
Gyártói cikkszámIRF5210STRLPBF
Rendelési kód1298529RL
más névenSP001554020
Műszaki adatlap
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id38A
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation3.8W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Termékáttekintés
The IRF5210STRLPBF is a HEXFET® single P-channel Power MOSFET offers of this design is a 150°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of other applications.
- Advanced process technology
- Ultra-low ON-resistance
- Fast switching
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Alkalmazások
Automotive, Power Management
Műszaki adatok
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
38A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Műszaki dokumentumok (3)
Alternatíva a következőhöz: IRF5210STRLPBF
2 termék található
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Y-Ex
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.00143