Oldal nyomtatása
IRF6619TR1PBF
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 30 A, 0.0022 ohm, DirectFET MX, Surface Mount
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
Továbbiakban nem raktározzuk
Termékinformáció
GyártóINFINEON
Gyártói cikkszámIRF6619TR1PBF
Rendelési kód1436916
Műszaki adatlap
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance0.0022ohm
Transistor Case StyleDirectFET MX
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.55V
Power Dissipation2.8mW
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Alternatíva a következőhöz: IRF6619TR1PBF
1 terméktalálat
Műszaki adatok
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Transistor Case Style
DirectFET MX
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.8mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.0022ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.55V
No. of Pins
5Pins
Product Range
-
Műszaki dokumentumok (2)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Mexico
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Mexico
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Meghatározásra vár
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.0005