Oldal nyomtatása
IRF7309
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
Továbbiakban nem raktározzuk
Termékinformáció
GyártóINFINEON
Gyártói cikkszámIRF7309
Rendelési kód538504
TermékskálaHEXFET Series
Műszaki adatlap
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel4A
Continuous Drain Current Id P Channel4A
Drain Source On State Resistance N Channel0.05ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.05ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.4W
Power Dissipation P Channel1.4W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
Alternatíva a következőhöz: IRF7309
1 terméktalálat
Műszaki adatok
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
4A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.05ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.4W
Product Range
HEXFET Series
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.05ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
1.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Műszaki dokumentumok (2)
Társított termékek
2 termék található
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:United States
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:United States
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
RoHS-kompatibilis:Nem
RoHS ftalát-kompatibilitás:Nem
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.0005