Oldal nyomtatása
IRF7343QPBF
Dual MOSFET, N Channel, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
GyártóINFINEON
Gyártói cikkszámIRF7343QPBF
Rendelési kód1551928
TermékskálaHEXFET Series
Műszaki adatlap
Továbbiakban nem raktározzuk
Termékinformáció
GyártóINFINEON
Gyártói cikkszámIRF7343QPBF
Rendelési kód1551928
TermékskálaHEXFET Series
Műszaki adatlap
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel55V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel4.7A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.043ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
QualificationAEC-Q101
Alternatíva a következőhöz: IRF7343QPBF
1 terméktalálat
Műszaki adatok
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
HEXFET Series
Drain Source Voltage Vds N Channel
55V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.043ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Műszaki dokumentumok (1)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Malaysia
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Malaysia
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Meghatározásra vár
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.0005