Oldal nyomtatása
IRFB4227PBF
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 65 A, 0.024 ohm, TO-220AB, Through Hole
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
GyártóINFINEON
Gyártói cikkszámIRFB4227PBF
Rendelési kód1298536
TermékskálaHEXFET Series
más névenSP001565892
Műszaki adatlap
3249 Van Raktáron
Többre van szüksége?
EXPRESSZ kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Rendeljen legkésőbb 17:00-ig
INGYENES standard kiszállítás
0,00 Ft és annál nagyobb értékű megrendelés esetén
A pontos kiszállítási időt a pénztárnál számítjuk ki
| Mennyiség | |
|---|---|
| 1+ | 1 093,500 Ft |
| 10+ | 935,550 Ft |
| 100+ | 777,600 Ft |
| 500+ | 672,300 Ft |
| 1000+ | 571,050 Ft |
| 5000+ | 546,750 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each
Legalább: 1
Több: 1
1 093,50 Ft (ÁFA nélkül)
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóINFINEON
Gyártói cikkszámIRFB4227PBF
Rendelési kód1298536
TermékskálaHEXFET Series
más névenSP001565892
Műszaki adatlap
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id65A
Drain Source On State Resistance0.024ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation330W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Termékáttekintés
The IRFB4227PBF is a 200V single N-channel HEXFET® Power MOSFET PDP switch designed to sustain, energy recovery and pass switch applications for plasma display panels. By adapting the latest techniques it achieves low on-resistance per silicon area and EPULSE rating.
- 175°C Operating temperature
- Low QG for fast response
- High repetitive peak current capability for reliable operation
- Short fall and rise times for fast switching
- Repetitive avalanche capability for robustness and reliability
Alkalmazások
Power Management, Industrial
Műszaki adatok
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
65A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
330W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Műszaki dokumentumok (3)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Philippines
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Philippines
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.00195