Oldal nyomtatása
IRFH5250DTRPBF
Power MOSFET, N Channel, 25 V, 100 A, 0.0014 ohm, QFN, Surface Mount
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
GyártóINFINEON
Gyártói cikkszámIRFH5250DTRPBF
Rendelési kód2781124
TermékskálaHEXFET Series
más névenSP001577928
Műszaki adatlap
3785 Van Raktáron
Többre van szüksége?
Kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Standard kiszállítás a 17:00 előtt leadott rendelésekre
Amíg a készlet tart
| Mennyiség | |
|---|---|
| 1+ | 311,850 Ft |
| 10+ | 303,345 Ft |
| 100+ | 295,245 Ft |
| 500+ | 286,740 Ft |
| 1000+ | 281,070 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each (Supplied on Cut Tape)
Legalább: 1
Több: 1
311,85 Ft (ÁFA nélkül)
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóINFINEON
Gyártói cikkszámIRFH5250DTRPBF
Rendelési kód2781124
TermékskálaHEXFET Series
más névenSP001577928
Műszaki adatlap
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance0.0014ohm
Transistor Case StyleQFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation156W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Alternatíva a következőhöz: IRFH5250DTRPBF
3 termék található
Termékáttekintés
IRFH5250DTRPBF is a HEXFET® power MOSFET. Applications include synchronous MOSFET for high frequency buck converters.
- Low RDSon (<lt/>1.4mohm), lower conduction losses
- Schottky intrinsic diode with low forward voltage, lower switching losses
- Low thermal resistance to PCB (<lt/>0.8°C/W), enable better thermal dissipation
- 100%Rg tested, increased reliability
- Low profile (<lt/>0.9mm), increased power density
- Industry-standard pinout, multi-vendor compatibility
- Compatible with existing surface mount techniques, easier manufacturing
- Environmentally friendlier, increased reliability
- 25V minimum drain-to-source breakdown voltage (VGS = 0V, ID = 1.0mA, TJ = 25°C)
- BF PQFN package, operating junction and storage temperature range from -55 to + 150°C
Figyelmeztetések
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Műszaki adatok
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
QFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
156W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
25V
Drain Source On State Resistance
0.0014ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
HEXFET Series
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Műszaki dokumentumok (1)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Malaysia
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Malaysia
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.000025