Oldal nyomtatása
IRFP260NPBF
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Through Hole
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
GyártóINFINEON
Gyártói cikkszámIRFP260NPBF
Rendelési kód8649294
TermékskálaHEXFET Series
más névenSP001552016
Műszaki adatlap
1491 Van Raktáron
7600 Már most lefoglalhat készletet
EXPRESSZ kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Rendeljen legkésőbb 17:00-ig
INGYENES standard kiszállítás
0,00 Ft és annál nagyobb értékű megrendelés esetén
A pontos kiszállítási időt a pénztárnál számítjuk ki
| Mennyiség | |
|---|---|
| 1+ | 2 081,700 Ft |
| 10+ | 1 146,150 Ft |
| 100+ | 984,150 Ft |
| 500+ | 773,550 Ft |
| 1000+ | 757,350 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each
Legalább: 1
Több: 1
2 081,70 Ft (ÁFA nélkül)
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóINFINEON
Gyártói cikkszámIRFP260NPBF
Rendelési kód8649294
TermékskálaHEXFET Series
más névenSP001552016
Műszaki adatlap
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source On State Resistance0.04ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Termékáttekintés
The IRFP260NPBF is 200V single N channel HEXFET power MOSFET in TO-247AC package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, dynamic dv/dt rating, ease of Paralleling, rugged, fast switching, simple drive requirements and fully avalanche rated as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications.
- Drain to source voltage (Vds) of 200V
- Gate to source voltage of ±20V
- On resistance Rds(on) of 40mohm at Vgs 10V
- Power dissipation Pd of 300W at 25°C
- Continuous drain current Id of 50A at Vgs 10V and 25°C
- Operating junction temperature range from -55°C to 175°C
Műszaki adatok
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
50A
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.04ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Műszaki dokumentumok (3)
Alternatíva a következőhöz: IRFP260NPBF
1 terméktalálat
Társított termékek
3 termék található
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.00567