Oldal nyomtatása
IRFP4668PBF
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 130 A, 0.0097 ohm, TO-247AC, Through Hole
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
GyártóINFINEON
Gyártói cikkszámIRFP4668PBF
Rendelési kód1684526
TermékskálaHEXFET Series
más névenSP001572854
Műszaki adatlap
8702 Van Raktáron
Többre van szüksége?
Kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Standard kiszállítás a 17:00 előtt leadott rendelésekre
| Mennyiség | |
|---|---|
| 1+ | 1 931,850 Ft |
| 5+ | 1 927,800 Ft |
| 10+ | 1 923,750 Ft |
| 50+ | 1 247,400 Ft |
| 100+ | 1 235,250 Ft |
| 250+ | 1 223,100 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each
Legalább: 1
Több: 1
1 931,85 Ft (ÁFA nélkül)
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóINFINEON
Gyártói cikkszámIRFP4668PBF
Rendelési kód1684526
TermékskálaHEXFET Series
más névenSP001572854
Műszaki adatlap
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id130A
Drain Source On State Resistance0.0097ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage30V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation520W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Termékáttekintés
The IRFP4668PBF is 200V single N channel HEXFET power MOSFET in TO-247AC package. This MOSFET featured with improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness, fast switching. Applicable at high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching, hard switched and high frequency circuits.
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Drain to source voltage (Vds) of 200V
- Gate to source voltage of ±30V
- On resistance Rds(on) of 8mohm at Vgs 10V
- Power dissipation Pd of 520W at 25°C
- Operating junction temperature range from -55°C to 175°C
Műszaki adatok
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
130A
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
30V
Power Dissipation
520W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.0097ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Műszaki dokumentumok (2)
Társított termékek
1 terméktalálat
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Mexico
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Mexico
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.006