Oldal nyomtatása
IRLB8721PBF
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 31 A, 0.0087 ohm, TO-220AB, Through Hole
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
GyártóINFINEON
Gyártói cikkszámIRLB8721PBF
Rendelési kód1740783
TermékskálaHEXFET Series
más névenSP001558140
Műszaki adatlap
677 Van Raktáron
Többre van szüksége?
Kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Standard kiszállítás a 17:00 előtt leadott rendelésekre
Amíg a készlet tart
| Mennyiség | |
|---|---|
| 1+ | 587,250 Ft |
| 10+ | 409,050 Ft |
| 100+ | 234,900 Ft |
| 500+ | 202,095 Ft |
| 1000+ | 184,275 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each
Legalább: 1
Több: 1
587,25 Ft (ÁFA nélkül)
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóINFINEON
Gyártói cikkszámIRLB8721PBF
Rendelési kód1740783
TermékskálaHEXFET Series
más névenSP001558140
Műszaki adatlap
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id31A
Drain Source On State Resistance0.0087ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation65W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Alternatíva a következőhöz: IRLB8721PBF
3 termék található
Termékáttekintés
The IRLB8721PBF is a 30V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using Trench MOSFET technology. Suitable for high frequency synchronous buck, converters for computer processor power, optimized for UPS/inverter applications, high frequency isolated DC-DC converters with synchronous rectification for telecom and industrial use.
- Very low RDS (ON) at 4.5V VGS
- Ultra low gate impedance
- Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
Alkalmazások
Power Management, Computers & Computer Peripherals, Communications & Networking, Industrial
Műszaki adatok
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
31A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
65W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0087ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Műszaki dokumentumok (2)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.002