Oldal nyomtatása
IRLL024NTRPBF
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 3.1 A, 0.065 ohm, SOT-223, Surface Mount
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
GyártóINFINEON
Gyártói cikkszámIRLL024NTRPBF
Rendelési kód2468048RL
más névenSP001568956
Műszaki adatlap
18 930 Van Raktáron
Többre van szüksége?
EXPRESSZ kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Rendeljen legkésőbb 17:00-ig
INGYENES standard kiszállítás
0,00 Ft és annál nagyobb értékű megrendelés esetén
A pontos kiszállítási időt a pénztárnál számítjuk ki
| Mennyiség | |
|---|---|
| 100+ | 156,735 Ft |
| 500+ | 124,740 Ft |
| 1000+ | 112,590 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each (Supplied on Cut Tape)
Legalább: 100
Több: 1
17 068,50 Ft (ÁFA nélkül)
Erre a termékre 1 395,00 Ft összegű újratekercselési díjat számolunk fel
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóINFINEON
Gyártói cikkszámIRLL024NTRPBF
Rendelési kód2468048RL
más névenSP001568956
Műszaki adatlap
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id3.1A
Drain Source On State Resistance0.065ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Termékáttekintés
The IRLL024NTRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques.
- Advanced process technology
- Ultra-low ON-resistance
- Fully avalanche rating
- Low static drain-to-source ON-resistance
- Dynamic dV/dt rating
- Logic level
Alkalmazások
Power Management
Figyelmeztetések
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Műszaki adatok
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.1A
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.065ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Műszaki dokumentumok (1)
Alternatíva a következőhöz: IRLL024NTRPBF
2 termék található
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:China
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.001728