Oldal nyomtatása
IRLML6402TRPBF
MOSFET Transistor, P Channel, 3.7A, 20V, 65 mohm, 1.3W, SOT-23
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
GyártóINFINEON
Gyártói cikkszámIRLML6402TRPBF
Rendelési kód9103503
TermékskálaHEXFET Series
más névenSP001552740
Műszaki adatlap
90 598 Van Raktáron
Többre van szüksége?
Kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Standard kiszállítás a 17:00 előtt leadott rendelésekre
| Mennyiség | |
|---|---|
| 5+ | 168,885 Ft |
| 50+ | 98,820 Ft |
| 250+ | 51,840 Ft |
| 1000+ | 43,335 Ft |
| 3000+ | 34,587 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each (Supplied on Cut Tape)
Legalább: 5
Több: 5
844,42 Ft (ÁFA nélkül)
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóINFINEON
Gyártói cikkszámIRLML6402TRPBF
Rendelési kód9103503
TermékskálaHEXFET Series
más névenSP001552740
Műszaki adatlap
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3.7A
Drain Source On State Resistance0.065ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max550mV
Power Dissipation1.3W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Termékáttekintés
The IRLML6402PBF is -20V single P channel HEXFET power MOSFET in Micro3 (SOT-23) package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, ruggedness, fast switching as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications such as battery and load management, portable electronics and PCMCIA cards and printed circuit board where space is at a premium.
- Drain to source voltage (Vds) of -20V
- Gate to source voltage of ±12V
- On resistance Rds(on) of 80mohm at Vgs -2.5V
- Power dissipation Pd of 1.3W at 25°C
- Continuous drain current Id of -3.7A at Vgs -4.5V and 25°C
- Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
- 0.01W/°C linear derating factor
Figyelmeztetések
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Műszaki adatok
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.7A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.065ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
550mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Műszaki dokumentumok (1)
Alternatíva a következőhöz: IRLML6402TRPBF
3 termék található
Társított termékek
2 termék található
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Malaysia
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Malaysia
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.000091
Termékkövethetőség