Oldal nyomtatása
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
GyártóINFINEON
Gyártói cikkszámS29GL128S10DHIV10
Rendelési kód4332201
Termékskála3V Parallel NOR Flash Memories
Műszaki adatlap
1252 Van Raktáron
Többre van szüksége?
EXPRESSZ kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Rendeljen legkésőbb 17:00-ig
INGYENES standard kiszállítás
0,00 Ft és annál nagyobb értékű megrendelés esetén
A pontos kiszállítási időt a pénztárnál számítjuk ki
Mennyiség | |
---|---|
1+ | 1 952,100 Ft |
10+ | 1 794,150 Ft |
25+ | 1 753,650 Ft |
50+ | 1 737,450 Ft |
100+ | 1 640,250 Ft |
250+ | 1 539,000 Ft |
500+ | 1 502,550 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each
Legalább: 1
Több: 1
1 952,10 Ft (ÁFA nélkül)
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóINFINEON
Gyártói cikkszámS29GL128S10DHIV10
Rendelési kód4332201
Termékskála3V Parallel NOR Flash Memories
Műszaki adatlap
Flash Memory TypeParallel NOR
Memory Density128Mbit
Memory Configuration8M x 16bit
InterfacesParallel
IC Case / PackageFBGA
No. of Pins64Pins
Clock Frequency Max-
Access Time100ns
Supply Voltage Min2.7V
Supply Voltage Max3.6V
Supply Voltage Nom3V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range3V Parallel NOR Flash Memories
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Termékáttekintés
S29GL128S10DHIV10 is a MIRRORBIT™ Eclipse flash product fabricated on 65nm process technology. This device offers a fast page access time as fast as 15ns with a corresponding random access time as fast as 90ns. This features a Write Buffer that allows a maximum of 256 words/512 bytes to be programmed in one operation, resulting in faster effective programming time than standard programming algorithms. This makes this device ideal for today’s embedded applications that require higher density, better performance, and lower power consumption.
- 100ns random access time
- CMOS 3.0V core with versatile I/O, 65nm MIRRORBIT™ Eclipse technology
- Single supply (VCC) for read / program / erase (2.7 V to 3.6 V)
- ×16 data bus, asynchronous 32-byte page read
- Programming in page multiples, up to a maximum of 512 bytes
- Automatic error checking and correction – internal hardware ECC with single bit error correction
- Suspend and resume commands for program and erase operations
- Status register, data polling, and ready/busy pin methods to determine device status
- Volatile and non-volatile protection methods for each sector
- Fortified ball-grid array package (LAE064), industrial temperature range from -40°C to +85°C
Műszaki adatok
Flash Memory Type
Parallel NOR
Memory Configuration
8M x 16bit
IC Case / Package
FBGA
Clock Frequency Max
-
Supply Voltage Min
2.7V
Supply Voltage Nom
3V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
3V Parallel NOR Flash Memories
Memory Density
128Mbit
Interfaces
Parallel
No. of Pins
64Pins
Access Time
100ns
Supply Voltage Max
3.6V
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Műszaki dokumentumok (1)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:United States
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:United States
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85423290
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.000001
Termékkövethetőség