Oldal nyomtatása
IXDN75N120
IGBT Module, Single, 150 A, 2.2 V, 660 W, 150 °C, SOT-227B
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
Továbbiakban nem raktározzuk
Termékinformáció
GyártóIXYS SEMICONDUCTOR
Gyártói cikkszámIXDN75N120
Rendelési kód3438369
Műszaki adatlap
IGBT ConfigurationSingle
Transistor PolarityNPN
DC Collector Current150A
Continuous Collector Current150A
Collector Emitter Saturation Voltage2.2V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2.2V
Power Dissipation Pd660W
Power Dissipation660W
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleSOT-227B
IGBT TerminationStud
No. of Pins4Pins
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyNPT IGBT [Standard]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Műszaki adatok
IGBT Configuration
Single
DC Collector Current
150A
Collector Emitter Saturation Voltage
2.2V
Power Dissipation Pd
660W
Junction Temperature Tj Max
150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
150A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2.2V
Power Dissipation
660W
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Case Style
SOT-227B
No. of Pins
4Pins
IGBT Technology
NPT IGBT [Standard]
Product Range
-
Műszaki dokumentumok (2)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:South Korea
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:South Korea
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.004