Oldal nyomtatása
IXFN132N50P3
MOSFET Transistor, N Channel, 112 A, 500 V, 0.039 ohm, 10 V, 5 V, SOT-227B
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
GyártóIXYS SEMICONDUCTOR
Gyártói cikkszámIXFN132N50P3
Rendelési kód2674760
TermékskálaPolar3 HiPerFET
Műszaki adatlap
Továbbiakban nem raktározzuk
Termékinformáció
GyártóIXYS SEMICONDUCTOR
Gyártói cikkszámIXFN132N50P3
Rendelési kód2674760
TermékskálaPolar3 HiPerFET
Műszaki adatlap
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id112A
Drain Source Voltage Vds500V
Drain Source On State Resistance0.039ohm
On Resistance Rds(on)0.039ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation1.5kW
Power Dissipation Pd1.5kW
Operating Temperature Max150°C
Product RangePolar3 HiPerFET
SVHCLead (17-Jan-2023)
Termékáttekintés
Alkalmazások
Medical
Figyelmeztetések
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Műszaki adatok
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
112A
Drain Source On State Resistance
0.039ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.5kW
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
Lead (17-Jan-2023)
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
On Resistance Rds(on)
0.039ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
1.5kW
Product Range
Polar3 HiPerFET
Műszaki dokumentumok (2)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:United States
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:United States
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Y-Ex
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:Lead (17-Jan-2023)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.03
Termékkövethetőség