Oldal nyomtatása
IXFN200N10P
MOSFET Transistor, PolarFET, N Channel, 200 A, 100 V, 0.0075 ohm, 15 V, 5 V
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
GyártóIXYS SEMICONDUCTOR
Gyártói cikkszámIXFN200N10P
Rendelési kód1427322
TermékskálaPolar(TM) HiPerFET
Műszaki adatlap
198 Van Raktáron
300 Már most lefoglalhat készletet
Kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Standard kiszállítás a 17:00 előtt leadott rendelésekre
| Mennyiség | |
|---|---|
| 1+ | 10 975,500 Ft |
| 5+ | 9 505,350 Ft |
| 10+ | 8 035,200 Ft |
| 50+ | 7 759,800 Ft |
| 100+ | 7 480,350 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each
Legalább: 1
Több: 1
10 975,50 Ft (ÁFA nélkül)
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóIXYS SEMICONDUCTOR
Gyártói cikkszámIXFN200N10P
Rendelési kód1427322
TermékskálaPolar(TM) HiPerFET
Műszaki adatlap
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id200A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source On State Resistance0.0075ohm
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation680W
Operating Temperature Max175°C
Product RangePolar(TM) HiPerFET
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Termékáttekintés
The IXFN200N10P is a N-channel enhancement mode Power MOSFET features miniBLOC with aluminium nitride isolation, low RDS (on) HDMOSTM process, rugged polysilicon gate cell structure and unclamped inductive switching (UIS) rated.
- Fast intrinsic rectifier
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Encapsulating epoxy meets UL94V-0, flammability classification
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Easy to mount
- High power density
- Space savings
Alkalmazások
Power Management, Lighting
Műszaki adatok
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
680W
Product Range
Polar(TM) HiPerFET
Continuous Drain Current Id
200A
Drain Source On State Resistance
0.0075ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Műszaki dokumentumok (2)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Germany
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Germany
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.03
Termékkövethetőség