Oldal nyomtatása
IXFN55N50
MOSFET Transistor, HiPerFET, N Channel, 55 A, 500 V, 0.08 ohm, 10 V, 4.5 V
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
Rendelhető
A gyártó standard átfutási ideje: 44 hét
| Mennyiség | |
|---|---|
| 300+ | 12 745,350 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each
Legalább: 300
Több: 300
3 823 605,00 Ft (ÁFA nélkül)
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóIXYS SEMICONDUCTOR
Gyártói cikkszámIXFN55N50
Rendelési kód4905647
Műszaki adatlap
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id55A
Drain Source Voltage Vds500V
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleISOTOP
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor MountingModule
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation600W
Operating Temperature Max150°C
No. of Pins3Pins
Product Range-
Termékáttekintés
The IXFN55N50 is a single N-channel Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features low static ON-resistance HDMOS™ process and high power density. It is suitable for DC-to-DC converters, battery chargers, DC choppers, switch-mode and resonant-mode power supplies.
- International standard packages
- MiniBLOC with aluminium nitride isolation
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Unclamped inductive switching (UIS) rating
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space saving
- UL94V-0 Flammability rating
Alkalmazások
Power Management, Lighting
Figyelmeztetések
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Műszaki adatok
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
Transistor Case Style
ISOTOP
Transistor Mounting
Module
Power Dissipation
600W
No. of Pins
3Pins
Continuous Drain Current Id
55A
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Műszaki dokumentumok (2)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:United States
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:United States
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.046
Termékkövethetőség