Oldal nyomtatása
IXFN80N50
MOSFET Transistor, HiPerFET, N Channel, 80 A, 500 V, 0.055 ohm, 10 V, 4.5 V
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
GyártóIXYS SEMICONDUCTOR
Gyártói cikkszámIXFN80N50
Rendelési kód7348029
TermékskálaHiPerFET Series
Műszaki adatlap
95 Van Raktáron
Többre van szüksége?
Kiszállítás 1–2 munkanapon belül
Standard kiszállítás a 17:00 előtt leadott rendelésekre
Amíg a készlet tart
| Mennyiség | |
|---|---|
| 1+ | 22 651,650 Ft |
| 5+ | 21 517,650 Ft |
| 10+ | 16 451,100 Ft |
| 50+ | 16 009,650 Ft |
Adott egységre meghatározott ár:Each
Legalább: 1
Több: 1
22 651,65 Ft (ÁFA nélkül)
Cikkszám /Tétellel kapcsolatos megjegyzés hozzáadása
Hozzáadva a megrendelési igazolásához, a számlához és a szállítólevélhez, kizárólag erre a megrendelésre vonatkozóan.
Ezt a számot hozzáadjuk a megrendelési igazolásához, a számlához, a szállítólevélhez, a webes megerősítő e-mailhez és a termékcímkéhez is.
Termékinformáció
GyártóIXYS SEMICONDUCTOR
Gyártói cikkszámIXFN80N50
Rendelési kód7348029
TermékskálaHiPerFET Series
Műszaki adatlap
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source Voltage Vds500V
On Resistance Rds(on)0.055ohm
Drain Source On State Resistance0.055ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor MountingModule
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation Pd780W
Power Dissipation780W
Transistor Case StyleISOTOP
Operating Temperature Max150°C
No. of Pins4Pins
Qualification-
Product RangeHiPerFET Series
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Termékáttekintés
The IXFN80N50 is a N-channel enhancement mode Power MOSFET features miniBLOC, with aluminium nitride isolation, low RDS (on) HDMOSTM process, rugged polysilicon gate cell structure and unclamped inductive switching (UIS) rated.
- Fast intrinsic rectifier
- High dv/dt rating
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Alkalmazások
Power Management, Lighting, Motor Drive & Control
Műszaki adatok
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
On Resistance Rds(on)
0.055ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
780W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.055ohm
Transistor Mounting
Module
Power Dissipation Pd
780W
Transistor Case Style
ISOTOP
No. of Pins
4Pins
Product Range
HiPerFET Series
Műszaki dokumentumok (2)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Germany
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:Germany
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Igen
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.234507