Oldal nyomtatása
IXGH48N60B3C1
Silicon Carbide IGBT Single Transistor, 75 A, 1.8 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
Továbbiakban nem gyártják
Termékinformáció
GyártóIXYS SEMICONDUCTOR
Gyártói cikkszámIXGH48N60B3C1
Rendelési kód1829733
Műszaki adatlap
Continuous Collector Current75A
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Power Dissipation300W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Alternatíva a következőhöz: IXGH48N60B3C1
1 terméktalálat
Termékáttekintés
The IXGH48N60B3C1 is a GenX3™ medium speed PT IGBT with SiC anti-parallel diode. It is optimized for low conduction and switching losses. It is suitable for battery chargers, welding machines and 5 to 40kHz switching applications.
- Low saturation voltage
- Square RBSOA
- Anti-parallel Schottky diode
- High power density
- Low gate drive requirement
Alkalmazások
Power Management, Motor Drive & Control, Maintenance & Repair, Lighting
Műszaki adatok
Continuous Collector Current
75A
Power Dissipation
300W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Műszaki dokumentumok (2)
Társított termékek
4 termék található
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:United States
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:United States
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Meghatározásra vár
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.006