Oldal nyomtatása
IXGR60N60C3C1
Silicon Carbide IGBT Single Transistor, 75 A, 2.5 V, 170 W, 600 V, TO-247AD, 3 Pins
Az ábra csak illusztráció. Tekintse meg a termékleírást.
Továbbiakban nem gyártják
Termékinformáció
GyártóIXYS SEMICONDUCTOR
Gyártói cikkszámIXGR60N60C3C1
Rendelési kód1829728
Műszaki adatlap
Continuous Collector Current75A
Collector Emitter Saturation Voltage2.5V
Power Dissipation170W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-247AD
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Műszaki adatok
Continuous Collector Current
75A
Power Dissipation
170W
Transistor Case Style
TO-247AD
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.5V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Műszaki dokumentumok (2)
Jogszabályok és környezetvédelem
Származási ország:
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:United States
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.Származási ország:United States
Az ország, amelyben az utolsó jelentősebb gyártás történt meg.
Vámtarifaszám:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-kompatibilis:Igen
RoHS
RoHS ftalát-kompatibilitás:Meghatározásra vár
Termékmegfelelőségi tanúsítvány letöltése
Termékmegfelelőségi tanúsítvány
Tömeg (kg):.006